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摘要：針對(duì) NAND Flash 目前的市場(chǎng)表現(xiàn)，包括市場(chǎng)調(diào)查研究機(jī)構(gòu)及外資的研究報(bào)告都表示，當(dāng)前供應(yīng)商的減產(chǎn)狀況將持續(xù)，使得價(jià)格有逐漸恢復(fù)的趨勢(shì)。不過(guò)，整體市場(chǎng)供需與價(jià)格要回復(fù)到健康的水準(zhǔn)，預(yù)計(jì)整體還需要一段時(shí)間的努力。

針對(duì)NAND Flash目前的市場(chǎng)表現(xiàn)，包括市場(chǎng)調(diào)查研究機(jī)構(gòu)及外資的研究報(bào)告都表示，當(dāng)前供應(yīng)商的減產(chǎn)狀況將持續(xù)，使得價(jià)格有逐漸恢復(fù)的趨勢(shì)。不過(guò)，整體市場(chǎng)供需與價(jià)格要回復(fù)到健康的水準(zhǔn)，預(yù)計(jì)整體還需要一段時(shí)間的努力。

據(jù)市場(chǎng)調(diào)查及研究機(jī)構(gòu)TrendForce最新的預(yù)測(cè)顯示，預(yù)計(jì)2024年存儲(chǔ)芯片原廠對(duì)于DRAM與 NAND Flash 的減產(chǎn)策略仍將延續(xù)。尤其，以虧損嚴(yán)重的 NAND Flash 更為明確。預(yù)估在 2024 年上半年消費(fèi)性電子市場(chǎng)需求能見(jiàn)度仍不明朗，加上通用型服務(wù)器的資本支出仍受到 AI 服務(wù)器排擠而顯得相對(duì)需求疲弱下，鑒于 2023 年基期已低，加上部分存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格已來(lái)到相對(duì)低點(diǎn)，預(yù)估 DRAM 及 NAND Flash 需求位元年成長(zhǎng)率分別有 13% 及 16%。

不過(guò)，盡管需求位元有回升，2024 年若要有效去化庫(kù)存，并回到供需平衡狀態(tài)，重點(diǎn)還是仰賴(lài)供應(yīng)商對(duì)于產(chǎn)能有所節(jié)制。一旦供應(yīng)商產(chǎn)能控制得宜，存儲(chǔ)芯片均價(jià)則有機(jī)會(huì)反彈。

而針對(duì)這樣的表現(xiàn)，亞系外資報(bào)告也指出，自 2023 年 8 月下旬起，NAND Flash 價(jià)格出現(xiàn)兩位數(shù)上漲。這情況主要來(lái)自于 NAND Flash 減產(chǎn)的幅度越來(lái)越大，下游智能手機(jī)及智能手機(jī)相關(guān)零組件的庫(kù)存已經(jīng)不是很高，而且近幾個(gè)月不同品牌也陸續(xù)推出新產(chǎn)品。

小米在日前的財(cái)報(bào)會(huì)議上也分享了相同的觀點(diǎn)，表示相信某些零組件和材料的價(jià)格會(huì)進(jìn)一步下跌的情況，目前看來(lái)可能性較小。在此情況下，接下來(lái) 2023 年第 4 季營(yíng)收和獲利可能開(kāi)始大幅成長(zhǎng)。

至于，美系外資方面也表示，日前更新了全球存儲(chǔ)芯片平均售價(jià)展望，以反映包括三星在內(nèi)的主要存儲(chǔ)芯片制造商的產(chǎn)量大幅減少。預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片制造商將通過(guò)大幅度減產(chǎn)，防止記憶體平均價(jià)格的進(jìn)一步下降，這將威脅到 NAND Flash 現(xiàn)金成本水準(zhǔn)。因此，預(yù)計(jì)三星有意義地減產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)品，將有助于穩(wěn)定 2023 年存儲(chǔ)芯片平均售價(jià)，并為整個(gè) 2024 年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)平均售價(jià)的穩(wěn)定復(fù)蘇奠定基礎(chǔ)。

編輯：芯智訊-林子? 來(lái)源：TrendForce

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